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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP2-R, | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | NIBBLE | 最长访问时间： | 60 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | 长度： | 17.14 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NIBBLE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 组织： | 1MX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2-R | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM41C1001CTR-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20 |
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| KM41C1001CV-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20 |
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| KM41C1001CVR-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, REVERSE, TSOP1-24/20 |
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| KM41C1001CZ-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20 |
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| KM41C1002CP-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| KM41C1002CT-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20 |
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| KM41C1002CTR-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20 |
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| KM41C1002CV-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20 |
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| KM41C1002CV-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20 |
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| KM41C1002CVR-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 6 X 16 MM, REVERSE, TSOP1-24/20 |
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