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KM41C1000BP-7

更新时间： 2024-11-14 21:07:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	496K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

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KM41C1000BP-7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP18,.3	针数：	18
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.67
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDIP-T18	JESD-609代码：	e0
长度：	22.02 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	18	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP18,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	4.65 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41C1000BP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CJ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-20
KM41C1000CP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CSLP-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CT-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP2-20
KM41C1000CVR-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-20
KM41C1000CVR-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-20
KM41C1000CZ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20
KM41C1000DJ-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, SOJ-20