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KM41C1000BJ-8

更新时间： 2024-11-14 21:07:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	496K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20

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KM41C1000BJ-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.69
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	JESD-609代码：	e0
长度：	17.145 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ20/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	3.68 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM41C1000BLP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000BP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000BP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CJ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-20
KM41C1000CP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CSLP-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CT-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP2-20
KM41C1000CVR-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-20
KM41C1000CVR-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-20