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KM418V256AT-8

更新时间： 2024-11-14 19:22:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	61K
描述
Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, PLASTIC, TSOP2-44/40

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KM418V256AT-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM418V256AZ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40
KM418V256AZ-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PZIP40, PLASTIC, ZIP-40
KM41C1000BJ-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20
KM41C1000BLP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000BP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000BP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CJ-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-20
KM41C1000CP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CP-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18
KM41C1000CSLP-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18