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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | MASK ROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | MASK ROMs | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM23C8000CG-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM23C8000CG-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM23C8000CG-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM23C8000D-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32 |
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| KM23C8000DG | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| KM23C8000DG-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| KM23C8000DG-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| KM23C8000DG-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| KM23C8000H-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| KM23C8000HG-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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