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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP42,.6 |
| 针数： | 42 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.37 | 最长访问时间： | 200 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 52.43 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | MASK ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 42 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP42,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | MASK ROMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM23C8100AFP1-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PQFP44, QFP-44 |
|
| KM23C8100AFP2-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PQFP64, QFP-64 |
|
| KM23C8100AFP2-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PQFP64, QFP-64 |
|
| KM23C8100AFP2-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PQFP64, QFP-64 |
|
| KM23C8100B-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 |
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| KM23C8100BG-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
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| KM23C8100BG-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
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| KM23C8100C-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42 |
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| KM23C8100C-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDIP42 |
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| KM23C8100C-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 200ns, CMOS, PDIP42 |
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