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KM23C8100H-12

更新时间: 2024-01-17 23:38:14
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42

KM23C8100H-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP42,.6针数:42
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.37
最长访问时间:120 ns备用内存宽度:16
JESD-30 代码:R-PDIP-T42JESD-609代码:e0
长度:52.43 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:42
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP42,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.00005 A
子类别:MASK ROMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

KM23C8100H-12 数据手册

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