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KM23C8100BG-12

更新时间: 2024-11-01 18:37:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44

KM23C8100BG-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP44,.63针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.37
最长访问时间:120 ns备用内存宽度:16
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:28.5 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP44,.63
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.1 mm最大待机电流:0.00005 A
子类别:MASK ROMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:12.6 mm
Base Number Matches:1

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