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KM23C8000D-10

更新时间： 2024-02-27 18:36:46

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

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KM23C8000D-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.6	最长访问时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	41.91 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	MASK ROMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

KM23C8000D-10 数据手册

KM23C8000D(G)

CMOS MASK ROM

8M-Bit (1Mx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· 1,048,576 x 8 bit organization

· Fast access time : 100ns(Max.)

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 50mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The KM23C8000D(G) is a fully static mask programmable

ROM organized 1,048,576 x 8 bit. It is fabricated using silicon

gate CMOS process technology.

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· Package

The KM23C8000D is packaged in

KM23C8000DG in a 32-SOP.

a 32-DIP and the

-. KM23C8000D : 32-DIP-600

-. KM23C8000DG : 32-SOP-525

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A19

A16

A15

A12

VCC

A18

A17

A14

A13

A19

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

(1,048,576x8)

DECODER

DIP

SOP

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

A11

DECODER

A10

. . .

VSS

CONTROL

LOGIC

Pin Name

A0 - A19

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

KM23C8000D(G)

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power (+5V)

Ground

VCC

VSS

12 3 4

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KM23C8000DG-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM23C8000DG-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM23C8000DG-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM23C8000H-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
KM23C8000HG-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
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