5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.62 |
| 最长访问时间： | 120 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 41.91 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | MASK ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.06 A | 子类别： | MASK ROMs |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM23C8001B-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
| KM23C8001BG-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
|
| KM23C8001H-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
| KM23C8001HG-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
|
| KM23C8005BG-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
|
| KM23C8100A-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 |
|
| KM23C8100AFP1-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PQFP44, QFP-44 |
|
| KM23C8100AFP2-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PQFP64, QFP-64 |
|
| KM23C8100AFP2-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PQFP64, QFP-64 |
|
| KM23C8100AFP2-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PQFP64, QFP-64 |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
