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KM23C8000DG

更新时间: 2024-01-16 23:20:57
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 179K
描述
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32

KM23C8000DG 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.44
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.47 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

KM23C8000DG 数据手册

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