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K9T1G08U0M-VIB0

更新时间： 2024-11-22 09:39:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
38页	662K
描述
Flash, 128MX8, 45ns, PDSO48,

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K9T1G08U0M-VIB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.71,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	45 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	部门数/规模：	8K
端子数量：	48	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.71,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9T1G08U0M-VIB0 数据手册

K9T1G08U0M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0

K9T1G08U0M-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0

FLASH MEMORY

Document Title

128M x 8 Bits NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

0.2

0.3

Aug. 7th 2003

Oct. 20th 2003

Mar. 9th 2004

Apr. 24th 2004

Advanced

Initial issue.

tR is changed. [Old : 12ms(Max.), New :15ms(Max.)]

CE must be held low during tR added.

Preliminary

1. Add the Protrusion/Burr value in WSOP1 PKG Diagram.

0.4

1. PKG(TSOP1, WSOP1) Dimension Change

May. 24th 2004

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

12 3 4 5 6 7...38

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9T1G08U0M-VIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM PITCH, PLASTIC, WSOP1-48
K9T1G08U0M-YIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 128MX8, 45ns, PDSO48,
K9W4G08U1M	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9W4G08U1M-ECB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G08U1M-PCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, PDSO48
K9W4G08U1M-PCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G08U1M-YCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G08U1M-YIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G16U1M	SAMSUNG	获取价格	256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9W4G16U1M-ECB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 128MX16, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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