是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 18 ns | 其他特性: | CONTAINS ADDITIONAL 128M BIT SPARE MEMORY |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 8589934592 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 8K |
端子数量: | 48 | 字数: | 1073741824 words |
字数代码: | 1000000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1GX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小: | 2K words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 128K |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9W8G08U1M-YCB0T | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, PDSO48 | |
K9W8G08U1M-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1GX8, PDSO48 | |
K9W8G08U1M-YIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 | |
K9W8G08U1M-YIB0T | SAMSUNG |
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Flash, 1GX8, PDSO48 | |
K9WAG08U0D-S | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY 256*8 4Gb D-die NAND Flash Single-Level-Cell (1bit/cell) | |
K9WAG08U1A | SAMSUNG |
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1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9WAG08U1A_067 | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9WAG08U1A-I | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9WAG08U1A-ICB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2GX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, TLGA-52 | |
K9WAG08U1A-IIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2GX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, TLGA-52 |