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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | 内存密度： | 8589934592 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 部门数/规模： | 8K |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1073741824 words |
| 字数代码： | 1000000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1GX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小： | 2K words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9W8G08U1M-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1GX8, PDSO48 |
|
| K9W8G08U1M-YIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1GX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| K9W8G08U1M-YIB0T | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 1GX8, PDSO48 |
|
| K9WAG08U0D-S | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY 256*8 4Gb D-die NAND Flash Single-Level-Cell (1bit/cell) |
|
| K9WAG08U1A | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9WAG08U1A_067 | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9WAG08U1A-I | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9WAG08U1A-ICB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2GX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, TLGA-52 |
|
| K9WAG08U1A-IIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 2GX8, 20ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, TLGA-52 |
|
| K9WAG08U1A-P | SAMSUNG |
获取价格 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
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