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K9W4G08U1M-YCB00

更新时间： 2024-11-25 15:36:15
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 637K
描述
Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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K9W4G08U1M-YCB00 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最长访问时间：30 ns其他特性：CONTAINS ADDITIONAL 64M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：2147483648 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：2.7 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：SLC NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

K9W4G08U1M-YCB00 数据手册

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K9W4G08U1M  
K9K2G08Q0M  
K9K2G08U0M  
K9W4G16U1M  
K9K2G16Q0M  
K9K2G16U0M  
FLASH MEMORY  
Document Title  
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Aug. 30.2001  
Nov. 5. 2001  
Remark  
Advance  
0.0  
0.1  
1. Initial issue  
1. IOL(R/B) of 1.8V device is changed.  
-min. Value: 7mA -->3mA  
Preliminary  
-typ. Value: 8mA -->4mA  
Jan. 23. 2002  
May. 29. 2002  
Preliminary  
Preliminary  
0.2  
1. 5th cycle of ID is changed  
: 40h --> 44h  
0.3  
0.4  
0.5  
1. Add WSOP Package Dimensions.  
Aug. 13. 2 002 Preliminary  
1. Add two-K9K2GXXU0M-YCB0/YIB0 Stacked Package  
Aug. 22. 2002  
Nov. 07. 2002  
Preliminary  
Preliminary  
1. Min valid block of K9W4GXXU1M-YCB0/YIB0 is changed .  
- min. 4016 --> 4036  
1. Each K9K2GXXX0M chip in the K9W4GXXU1M has Maximum 30  
0.6  
invalid blocks.  
2. K9W4GXXU1M’s ID is changed  
(Before)  
Device  
K9W4G08U1M  
K9W4G16U1M  
(After)  
2nd Cycle 3rd cycle 4th Cycle 5th Cycle  
DCh  
CCh  
C3  
C3  
15h  
55h  
4Ch  
4Ch  
Device  
2nd Cycle 3rd cycle 4th Cycle 5th Cycle  
K9W4G08U1M  
K9W4G16U1M  
DAh  
CAh  
C1  
C1  
15h  
55h  
44h  
44h  
Nov. 22. 2002  
Mar. 6. 2003  
Preliminary  
Preliminary  
1. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 36)  
2. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about  
1.1V. (Page 37)  
0.7  
0.8  
1. The min. Vcc value 1.8V devices is changed.  
K9K2GXXQ0M : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you  
have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.  
1
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与K9W4G08U1M-YCB00相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9W4G08U1M-YIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G16U1M SAMSUNG

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 		256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9W4G16U1M-ECB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX16, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G16U1M-KCB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX16, PDSO48,
K9W4G16U1M-KCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX16, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G16U1M-KIB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX16, PDSO48,
K9W4G16U1M-KIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX16, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G16U1M-PCB0 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX16, PDSO48,
K9W4G16U1M-PIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9W4G16U1M-YCB00 SAMSUNG

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