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K9W8G08U1M-PIB0

更新时间： 2024-11-21 14:51:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
38页	741K
描述
Flash, 1GX8, PDSO48,

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K9W8G08U1M-PIB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e6
内存密度：	8589934592 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
部门数/规模：	8K	端子数量：	48
字数：	1073741824 words	字数代码：	1000000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1GX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
Base Number Matches：	1

K9W8G08U1M-PIB0 数据手册

K9W8G08U1M

K9K4G08U0M

FLASH MEMORY

Document Title

512M x 8 Bit / 1G x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No History

Draft Date

Feb. 19. 2003

Mar. 31. 2003

Apr. 9. 2003

Remark

Advance

0.0

0.1

0.2

1. Initial issue

1. Add two-K9K4GXXU0M-YCB0/YIB0 Stacked Package

Preliminary

1. The 3rd Byte ID after 90h ID read command is don’t cared.

The 5th Byte ID after 90h ID read command is deleted.

0.3

1. The K9W8G16U1M-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0 is deleted in line up.

2. Note is added.

Apr. 30. 2003

Preliminary

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

3. Pb-free Package is added.

K9K4G08Q0M-PCB0,PIB0

K9K4G08U0M-PCB0,PIB0

K9K4G16U0M-PCB0,PIB0

K9K4G16Q0M-PCB0,PIB0

K9W8G08U1M-PCB0,PIB0

Preliminary

0.4

0.5

1. Added Addressing method for program operation.

Jan. 27. 2004

May.31. 2004

1. The tADL(Address to Data Loading Time) is added.

- tADL Minimum 100ns

- tADL is the time from the WE rising edge of final address cycle

to the WE rising edge of first data cycle at program operation.

2. Added addressing method for program operation

3. PKG(TSOP1) Dimension Change

Preliminary

0.6

1. Technical note is changed

Feb. 01. 2005

2. Notes of AC timing characteristics are added

3. The description of Copy-back program is changed

4. 1.8V part is deleted

0.7

0.8

1. CE access time : 23ns->35ns (p.11)

Feb. 14. 2005

May 4. 2005

1. The value of tREA is changed.(18ns->20ns)

2. The value of output load capacitance is changed.

3. EDO mode is added.

0.9

1. The flow chart to creat the initial invalid block table is changed.

May 6. 2005

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K9W8G08U1M-YCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 1GX8, PDSO48
K9W8G08U1M-YCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 1GX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W8G08U1M-YCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 1GX8, PDSO48
K9W8G08U1M-YIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 1GX8, PDSO48
K9W8G08U1M-YIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 1GX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48
K9W8G08U1M-YIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 1GX8, PDSO48
K9WAG08U0D-S	SAMSUNG	获取价格	FLASH MEMORY 256*8 4Gb D-die NAND Flash Single-Level-Cell (1bit/cell)
K9WAG08U1A	SAMSUNG	获取价格	1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
K9WAG08U1A_067	SAMSUNG	获取价格	1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory

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