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K7N801845B-QC16T

更新时间： 2024-11-19 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	394K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100

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K7N801845B-QC16T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	3.5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.06 A
最小待机电流：	2.38 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.33 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K7N801845B-QC16T 数据手册

K7N803645B

K7N801845B

256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAM^TM

8Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 5.0 April 2006

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