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K7N803601A-EC10

更新时间: 2024-11-20 09:33:15
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 459K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119

K7N803601A-EC10 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:BGA, BGA119,7X17,50Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8最长访问时间:5 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:36
端子数量:119字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
电源:2.5/3.3,3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.05 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.35 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

K7N803601A-EC10 数据手册

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K7N803601A  
K7N801801A  
256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
256Kx36-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
1.0  
1. Initial document.  
May. 24. 2000  
July. 03. 2000  
Preliminary  
Final  
1. Final spec Release.  
2. Add 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package)  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
July 2000  
Rev 1.0  

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