是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 3.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
端子数量: | 119 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.05 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.42 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N803601A-HC100 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N803601A-HC130 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N803601A-HC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N803601A-PC10 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N803601A-PC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N803601A-PC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N803601A-TC10 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N803601A-TC13 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N803601A-TC130 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N803601A-TC150 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |