Datasheet > 存储 > SRAM> K7N801849B-QC25T

K7N801849B-QC25T

更新时间： 2024-09-24 13:09:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
18页	379K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 2.6ns, CMOS

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K7N801849B-QC25T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	2.6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-609代码：	e1
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.44 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

K7N801849B-QC25T 数据手册

K7N803601B

K7N801801B

256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

0.2

1.0

1. Initial document.

May. 18. 2001

Aug. 11. 2001

Aug. 28 .2001

Nov. 16. 2001

Preliminary

Final

1. Add x32 org part and industrial temperature part

1. change scan order(1) form 4T to 6T at 119BGA(x18)

1. Final spec release

2. Change ISB2 form 50mA to 60mA

Change ordering information( remove 225MHz at Nt-Pipelined)

1. Delete 119BGA package

2.0

2.1

3.0

April. 01. 2002

April. 04. 2003

Nov. 17. 2003

Final

1. Remove x32 organization

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

Nov. 2003

Rev 3.0

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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