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K7N803209B-QI20

更新时间: 2024-11-19 15:46:03
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三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 536K
描述
ZBT SRAM, 256KX32, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

K7N803209B-QI20 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:LQFP, QFP100,.63X.87
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:3.2 ns最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:32功能数量:1
端子数量:100字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5/3.3,3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.06 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.4 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

K7N803209B-QI20 数据手册

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K7N803609B  
K7N803209B  
K7N801809B  
256Kx36/x32 & 512Kx18 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
1.0  
1. Initial document.  
May. 18. 2001  
Aug. 11. 2001  
Aug. 28. 2001  
Nov. 16. 2001  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
1. Add x32 org part and industrial temperature part  
1. change scan order(1) form 4T to 6T at 119BGA(x18)  
1. Final spec release  
2. Change ISB2 form 50mA to 60mA  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
Nov 2001  
Rev 1.0  

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