是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 4.2 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.06 A | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N801845B-QC13T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N801845B-QC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 | |
K7N801845B-QC16 | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM | |
K7N801845B-QC16/13 | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM | |
K7N801845B-QC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N801845B-QC16T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N801845B-QI13T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N801845B-QI16T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N801845M | SAMSUNG |
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256K X 36 & 512K X 18 PIPELINED N-T RAM - TM | |
K7N801845M-HC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |