Datasheet > K7N801845B-PI160

K7N801845B-PI160

更新时间： 2024-11-20 09:52:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	394K
描述
ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N801845B-PI160 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	14 mm

K7N801845B-PI160 数据手册

K7N803645B

K7N801845B

256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAM^TM

8Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 5.0 April 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与K7N801845B-PI160相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N801845B-PI16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N801845B-QC13	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM
K7N801845B-QC130	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N801845B-QC13T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100
K7N801845B-QC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7N801845B-QC16	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM
K7N801845B-QC16/13	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM
K7N801845B-QC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N801845B-QC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N801845B-QI13T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100

与K7N801845B-PI160相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

22
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

14
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

44
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

43

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N801845B-PI160

K7N801845B-PI160 技术参数

K7N801845B-PI160 数据手册

与K7N801845B-PI160相关器件

与K7N801845B-PI160相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N801845B-PI160

K7N801845B-PI160 技术参数

K7N801845B-PI160 数据手册

与K7N801845B-PI160相关器件

与K7N801845B-PI160相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？