是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | QFP, QFP100,.63X.87 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 3.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 167 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.06 A | 最小待机电流: | 2.38 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.33 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.635 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N801845B-QC13 | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM | |
K7N801845B-QC130 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N801845B-QC13T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N801845B-QC15 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 | |
K7N801845B-QC16 | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM | |
K7N801845B-QC16/13 | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18-Bit Flow Through NtRAM | |
K7N801845B-QC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N801845B-QC16T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N801845B-QI13T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 4.2ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N801845B-QI16T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100 |