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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 8.5 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7B161825A-FI650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| K7B161825A-FI750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
|
| K7B161825A-FI850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| K7B161825A-HC65 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B161825A-HC650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B161825A-HC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B161825A-HC85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B161825A-HC850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B161825A-HI650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7B161825A-HI75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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