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K6R1008V1B-TI8T

更新时间： 2024-01-16 10:06:40

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	184K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 8ns, CMOS, PDSO32

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技术参数
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K6R1008V1B-TI8T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP32,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	8 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP32,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6R1008V1B-TI8T 数据手册

Preliminary

PRELIMINARY

CMOS SRAM

K6R1008V1B-C/B-L, K6R1008V1B-I/B-P

Document Title

128Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating), Revolutionary Pin out.

Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev.1.0

History

Draft Data

Remark

Initial release with Design Target.

Apr. 1st, 1997

Jun. 1st, 1997

Design Target

Preliminary

Release to Preliminary Data Sheet.

1.1. Replace Design Target to Preliminary.

Rev.2.0

Release to Final Data Sheet.

Feb. 25th, 1998

Final

2.1. Delete Preliminary.

2.2. Delete 32-SOJ-300 package.

2.3. Add Capacitive load of the test environment in A.C test load.

2.4. Change D.C characteristics.

Previous spec.

(8/10/12ns part)

160/150/140mA

30mA

Changed spec.

Items

(8/10/12ns part)

160/155/150mA

50mA

ICC

ISB

Rev. 2.1

Aug. 4th, 1998

Final

Change Standby and Data Retention Current for L-ver.

Items

ISB1

Previous spec.

Changed spec.

0.7mA

0.5mA

IDR at 3.0V

IDR at 2.0V

0.4mA

0.3mA

0.5mA

0.4mA

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev 2.1

August 1998

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与K6R1008V1B-TI8T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K6R1008V1B-TL10	SAMSUNG	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32	获取价格
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