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K4T51163QG-HCE6

更新时间： 2024-09-21 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
47页	1021K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84,

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K4T51163QG-HCE6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.79	最长访问时间：	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	端子数量：	84
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.235 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T51163QG-HCE6 数据手册

K4T51043QG

K4T51083QG

K4T51163QG

DDR2 SDRAM

512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 December 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4T51163QG-HCE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T51163QG-HCE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QG-HCF80	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QG-HCLCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification
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K4T51163QG-HCLE6	SAMSUNG	获取价格	512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification
K4T51163QG-HCLE7	SAMSUNG	获取价格	512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification
K4T51163QG-HCLF7	SAMSUNG	获取价格	512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification
K4T51163QG-HLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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