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K4T51163QJ-BCE6T

更新时间： 2023-07-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	1046K
描述
Cache DRAM Module, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84

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K4T51163QJ-BCE6T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e1
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T51163QJ-BCE6T 数据手册

Rev. 1.1, Jul. 2011

K4T51043QJ

K4T51083QJ

K4T51163QJ

512Mb J-die DDR2 SDRAM

60 & 84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

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