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K4T56083QF-ZCCC

更新时间： 2024-11-26 20:49:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	469K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4T56083QF-ZCCC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32	针数：	60
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.255 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4T56083QF-ZCCC 数据手册

DDR2 SDRAM

256Mb F-die DDR2 SDRAM

256Mb F-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.8

July 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.8 July 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T56083QF-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T56083QF-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR2 SDRAM
K4T56083QF-ZCE6	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR2 SDRAM
K4T56083QF-ZCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T56163QI	SAMSUNG	获取价格	256Mb I-die DDR2 SDRAM Specification
K4T56163QI-ZC(L)CC	SAMSUNG	获取价格	256Mb I-die DDR2 SDRAM Specification
K4T56163QI-ZC(L)D5	SAMSUNG	获取价格	256Mb I-die DDR2 SDRAM Specification
K4T56163QI-ZC(L)E6	SAMSUNG	获取价格	256Mb I-die DDR2 SDRAM Specification
K4T56163QI-ZC(L)E7	SAMSUNG	获取价格	256Mb I-die DDR2 SDRAM Specification
K4T56163QI-ZC(L)F7	SAMSUNG	获取价格	256Mb I-die DDR2 SDRAM Specification

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