是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA60,9X11,32 | 针数: | 60 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.24 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 95 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA60,9X11,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 4,8 |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.255 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T56083QF-GCCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | |
K4T56083QF-GCD5 | SAMSUNG |
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256Mb F-die DDR2 SDRAM | |
K4T56083QF-GCE6 | SAMSUNG |
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256Mb F-die DDR2 SDRAM | |
K4T56083QF-GCE60 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | |
K4T56083QF-GLCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | |
K4T56083QF-GLD50 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | |
K4T56083QF-ZCCC | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T56083QF-ZCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4T56083QF-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM | |
K4T56083QF-ZCE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM |