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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, |
| 针数： | 84 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 95 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T56163QI-ZCLF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb I-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T56163QI-ZLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T56163QI-ZLD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T56163QI-ZLD5T | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
|
| K4T56163QI-ZLE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T56163QI-ZLE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
|
| K4T56163QI-ZLE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T56163QI-ZLE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
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| K4T56163QI-ZLF7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM |
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| K4T56163QN | SAMSUNG |
获取价格 |
Consumer Memory |
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