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K4T56083QF-GCE60

更新时间： 2024-11-26 15:43:39

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	475K
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DDR DRAM, 32MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

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K4T56083QF-GCE60 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	60
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.56
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	32MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

K4T56083QF-GCE60 数据手册

DDR2 SDRAM

256Mb F-die DDR2 SDRAM

256Mb F-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.8

July 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.8 July 2005

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K4T56083QF-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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