是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | VFBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.71 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 12.5 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 84 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 32MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T56043QF | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM |
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K4T56043QF-GCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-GCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM |
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K4T56043QF-GCD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-GCE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-GLD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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K4T56043QF-ZCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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K4T56043QF-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM |
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K4T56083QF | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM |
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