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K4T56043QF-GCD50

更新时间： 2024-02-29 17:17:00

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	475K
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DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

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K4T56043QF-GCD50 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.56	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	64MX4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4T56043QF-GCD50 数据手册

DDR2 SDRAM

256Mb F-die DDR2 SDRAM

256Mb F-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.8

July 2005

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.8 July 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4T56043QF-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T56043QF-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T56043QF-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR2 SDRAM
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