是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | VFBGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.71 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 | 长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 座面最大高度: | 1 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T51163QN-BIF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
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K4T51163QQ-BCE6T00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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K4T51163QQ-BCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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K4T56043QF | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM |
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K4T56043QF-GCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-GCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR2 SDRAM |
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K4T56043QF-GCD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-GCE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-GLD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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K4T56043QF-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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