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| 生命周期： | Active | 包装说明： | VFBGA, |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 9.5 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T51083QQ-BCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4T51163QB | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51163QB-GCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T51163QB-GCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T51163QB-GLD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84 |
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| K4T51163QB-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51163QB-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51163QB-ZCD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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| K4T51163QC-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T51163QC-ZCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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