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K4T51163QB-ZCD5

更新时间： 2024-11-18 22:07:39

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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512Mb B-die DDR2 SDRAM

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K4T51163QB-ZCD5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T51163QB-ZCD5 数据手册

DDR2 SDRAM

512Mb B-die DDR2 SDRAM

512Mb B-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.5

July 2005

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.5 July 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4T51163QC-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51163QC-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51163QC-ZCD5T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCD6	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
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K4T51163QC-ZCE6	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51163QC-ZCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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