Datasheet > 存储 > DRAM> K4T51163QC-ZCCC

K4T51163QC-ZCCC

更新时间： 2024-11-22 22:07:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
29页	629K
描述
512Mb C-die DDR2 SDRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4T51163QC-ZCCC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	端子数量：	84
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T51163QC-ZCCC 数据手册

DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.4

August 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Page 1 of 29

Rev. 1.4 Aug. 2005

12 3 4 5 6 7...29

中文翻译

下载PDF

与K4T51163QC-ZCCC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T51163QC-ZCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51163QC-ZCD5T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCD6	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51163QC-ZCD60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCE6	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
K4T51163QC-ZCE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCE6T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
K4T51163QC-ZCE7	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM

与K4T51163QC-ZCCC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51163QC-ZCCC

K4T51163QC-ZCCC 技术参数

K4T51163QC-ZCCC 数据手册

与K4T51163QC-ZCCC相关器件

与K4T51163QC-ZCCC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51163QC-ZCCC

K4T51163QC-ZCCC 技术参数

K4T51163QC-ZCCC 数据手册

与K4T51163QC-ZCCC相关器件

与K4T51163QC-ZCCC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？