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K4T51163QC-ZLD5

更新时间： 2024-11-06 22:19:35

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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512Mb C-die DDR2 SDRAM

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K4T51163QC-ZLD5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	266 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	84	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.0045 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.27 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T51163QC-ZLD5 数据手册

DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM

512Mb C-die DDR2 SDRAM Specification

Version 1.4

August 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.4 Aug. 2005

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K4T51163QC-ZLD60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZLE6	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM
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K4T51163QC-ZLE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T51163QC-ZLF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T51163QC-ZLF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZLF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84
K4T51163QE	SAMSUNG	获取价格	512Mb E-die DDR2 SDRAM Specification

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