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K4T1G084QD-ZLE7

更新时间： 2024-11-11 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	589K
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DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60

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K4T1G084QD-ZLE7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e3
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
端子数量：	60	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	组织：	128MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.265 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T1G084QD-ZLE7 数据手册

K4T1G084QD

K4T1G164QD

DDR2 SDRAM

1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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-1 of 29

Rev. 1.0 March 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T1G084QD-ZLE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QD-ZLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QD-ZLF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QD-ZLF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QE	SAMSUNG	获取价格	Consumer Memory
K4T1G084QE-HCE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QE-HCE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QE-HCF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QE-HCF8T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QE-HCLE6	SAMSUNG	获取价格	1Gb E-die DDR2 SDRAM

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