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K4T1G084QD-ZLD50

更新时间： 2024-11-11 21:17:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	962K
描述
DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4T1G084QD-ZLD50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.69	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	11 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	128MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

K4T1G084QD-ZLD50 数据手册

K4T1G084QD

K4T1G164QD

DDR2 SDRAM

1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free

(RoHS compliant)

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Rev. 1.2 July 2008

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K4T1G084QD-ZLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T1G084QD-ZLF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T1G084QD-ZLF7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
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