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K4S643232F-TI600

更新时间: 2024-11-19 15:36:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 99K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86

K4S643232F-TI600 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSSOP,针数:86
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.31
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G86
长度:22.22 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:86字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4S643232F-TI600 数据手册

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K4S643232F-TI/P  
CMOS SDRAM  
2M x 32 SDRAM  
512K x 32bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL(3.3V)  
Industrial Temperature  
86-TSOP  
Revision 1.0  
January 2002  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 1.0 (Jan. 2002)  
- 1 -  

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