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K4S560832D-TL1L PDF预览

K4S560832D-TL1L

更新时间： 2024-11-10 23:16:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
11页 153K
描述
32Mx64 SDRAM DIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

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K4S560832D-TL1L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.9
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e0长度：22.22 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4S560832D-TL1L 数据手册

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M366S3253DTS  
PC133/PC100 Unbuffered DIMM  
M366S3253DTS SDRAM DIMM  
32Mx64 SDRAM DIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD  
FEATURE  
GENERAL DESCRIPTION  
• Performance range  
1 The Samsung M366S3253DTS is a 32M bit x 64 Synchronous  
Dynamic RAM high density memory module. The Samsung  
M366S325DCTS consists of eight CMOS 32M x 8 bit with 4banks  
Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a 2K  
EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy sub-  
strate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the  
printed circuit board in parallel for each SDRAM.  
Part No.  
Max Freq. (Speed)  
133MHz (7.5ns@CL=2)  
133MHz (7.5ns@CL=3)  
100MHz (6.0ns@CL=2)  
100MHz (6.0ns@CL=3)  
M366S3253DTS-L7C/C7C  
M366S3253DTS-L7A/C7A  
M366S3253DTS-L1H/C1H  
M366S3253DTS-L1L/C1L  
• Burst mode operation  
The M366S325DCTS is a Dual In-line Memory Module and is  
intended for mounting into 168-pin edge connector sockets.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use of  
system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable latencies allows  
the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high  
performance memory system applications.  
• Auto & self refresh capability (8192 Cycles/64ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V ± 0.3V power supply  
• MRS cycle with address key programs  
Latency (Access from column address)  
Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
Data scramble (Sequential & Interleave)  
• All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
• Serial presence detect with EEPROM  
• PCB : Height (1,375mil), single sided component  
PIN CONFIGURATIONS (Front side/back side)  
PIN NAMES  
Pin  
Pin Front Pin Front  
Front Pin Back Pin Back Pin Back  
Pin Name  
A0 ~ A12  
BA0 ~ BA1  
DQ0 ~ DQ63  
CLK0, CLK2  
CKE0  
Function  
Address input (Multiplexed)  
Select bank  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VSS  
29 DQM1  
DQ18 85  
DQ19 86 DQ32 114 *CS1 142 DQ51  
87 DQ33 115 RAS 143 VDD  
DQ20 88 DQ34 116 VSS 144 DQ52  
VSS 113 DQM5 141 DQ50  
DQ0 30  
DQ1 31  
DQ2 32  
DQ3 33  
CS0  
DU  
VSS  
A0  
Data input/output  
Clock input  
VDD  
NC  
*VREF 90  
*CKE1 91 DQ36 119  
92 DQ37 120  
DQ21 93 DQ38 121  
89 DQ35 117  
A1  
A3  
A5  
A7  
A9  
145 NC  
146 *VREF  
147 NC  
148 VSS  
149 DQ53  
Clock enable input  
Chip select input  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
VDD  
34  
A2  
VDD 118  
CS0, CS2  
RAS  
DQ4 35  
DQ5 36  
DQ6 37  
A4  
A6  
A8  
VSS  
CAS  
10 DQ7 38 A10/AP  
DQ22 94 DQ39 122 BA0 150 DQ54  
DQ23 95 DQ40 123 A11 151 DQ55  
WE  
11 DQ8 39  
12 40  
13 DQ9 41  
BA1  
VDD  
VDD  
DQM0 ~ 7  
VDD  
DQM  
VSS  
VSS  
96  
VSS 124 VDD 152 VSS  
DQ24 97 DQ41 125 *CLK1 153 DQ56  
DQ25 98 DQ42 126 A12 154 DQ57  
DQ26 99 DQ43 127 VSS 155 DQ58  
DQ27 100 DQ44 128 CKE0 156 DQ59  
VDD 101 DQ45 129 *CS3 157 VDD  
DQ28 102 VDD 130 DQM6 158 DQ60  
DQ29 103 DQ46 131 DQM7 159 DQ61  
DQ30 104 DQ47 132 *A13 160 DQ62  
DQ31 105 *CB4 133 VDD 161 DQ63  
Power supply (3.3V)  
Ground  
14 DQ10 42 CLK0  
VSS  
15 DQ11 43  
16 DQ12 44  
17 DQ13 45  
VSS  
DU  
CS2  
*VREF  
Power supply for reference  
Serial data I/O  
SDA  
18  
VDD  
46 DQM2  
SCL  
Serial clock  
19 DQ14 47 DQM3  
SA0 ~ 2  
*WP  
Address in EEPROM  
Write protection  
Don¢t use  
20 DQ15 48  
21 *CB0 49  
22 *CB1 50  
DU  
VDD  
NC  
NC  
VSS 106 *CB5 134  
CLK2 107 VSS 135  
NC 162 VSS  
NC 163 *CLK3  
DU  
23  
24  
25  
26  
27  
VSS  
NC  
NC  
VDD  
WE  
51  
NC  
No connection  
52 *CB2  
53 *CB3  
54  
NC 108 NC 136 *CB6 164 NC  
*WP 109 NC 137 *CB7 165 **SA0  
**SDA 110 VDD 138 VSS 166 **SA1  
*
These pins are not used in this module.  
** These pins should be NC in the system  
VSS  
55 DQ16 83 **SCL 111 CAS 139 DQ48 167 **SA2  
84  
which does not support SPD.  
28 DQM0 56 DQ17  
VDD 112 DQM4 140 DQ49 168 VDD  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.  
REV. 0.0 Jan. 2002  
1234567...11

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与K4S560832D-TL1L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4S560832D-TL75 SAMSUNG

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 		Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S560832D-TL7A SAMSUNG

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 		32Mx64 SDRAM DIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
K4S560832D-TL7C SAMSUNG

获取价格

 		32Mx64 SDRAM DIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD
K4S560832E-NC75 SAMSUNG

获取价格

 		256Mb E-die SDRAM Specification 54pin sTSOP-II
K4S560832E-NC750 SAMSUNG

获取价格

 		Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.300 INCH, STSOP2-54
K4S560832E-NL75 SAMSUNG

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 		256Mb E-die SDRAM Specification 54pin sTSOP-II
K4S560832E-NL750 SAMSUNG

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 		Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.300 INCH, STSOP2-54
K4S560832E-TC75 SAMSUNG

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 		256Mb E-die SDRAM Specification
K4S560832E-TC750 SAMSUNG

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 		Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S560832E-TC75T SAMSUNG

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 		Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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