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K4S560832H-UC75

更新时间： 2024-11-11 20:10:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	199K
描述
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

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K4S560832H-UC75 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e6
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4S560832H-UC75 数据手册

SDRAM 256Mb H-die (x4, x8, x16)

CMOS SDRAM

256Mb H-die SDRAM Specification

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 October 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S560832H-UC75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP
K4S560832J	SAMSUNG	获取价格	Consumer Memory
K4S560832J-UC/L75	SAMSUNG	获取价格	256Mb J-die SDRAM Specification
K4S560832J-UC75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54,
K4S560832J-UC75T	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S560832J-UL75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54
K4S560832N	SAMSUNG	获取价格	256Mb N-die SDRAM
K4S560832N-LC75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN F
K4S560832N-LC750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN F
K4S560832N-LL750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, HALOGEN F

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