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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e6 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn96Bi4) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S560832E-UC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE |
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| K4S560832E-UL75 | SAMSUNG |
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256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4S560832H | SAMSUNG |
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SDRAM Product Guide |
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| K4S560832H-TC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S560832H-TL75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S560832H-TL750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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| K4S560832H-UC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP |
|
| K4S560832H-UC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMP |
|
| K4S560832J | SAMSUNG |
获取价格 |
Consumer Memory |
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| K4S560832J-UC/L75 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb J-die SDRAM Specification |
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