Datasheet > 存储 > DRAM> K4S51153PF-YF1L

K4S51153PF-YF1L

更新时间： 2024-11-10 22:09:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
12页	108K
描述
8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4S51153PF-YF1L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	111 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e0	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0006 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.095 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4S51153PF-YF1L 数据手册

K4S51153PF - Y(P)F

Mobile SDRAM

8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

• VDD/VDDQ =1.8V/1.8V.

The K4S51153PF is 536,870,912 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 8,388,608 words by 16 bits,

fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol-

ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock and I/O transactions are possible on every

clock cycle. Range of operating frequencies, programmable

burst lengths and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth and high per-

formance memory system applications.

• LVCMOS compatible with multiplexed address.

• Four banks operation.

• MRS cycle with address key programs.

-. CAS latency (1, 2 & 3).

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page).

-. Burst type (Sequential & Interleave).

• EMRS cycle with address key programs.

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst read single-bit write operation.

• Special Function Support.

-. PASR (Partial Array Self Refresh).

-. Internal TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

-. DS (Driver Strength)

• DQM for masking.

• Auto refresh.

• 64ms refresh period (8K cycle).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• 2 /CS Support.

• 54Balls FBGA( -YXXX -Pb, -PXXX -Pb Free).

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface

Package

K4S51153PF-Y(P)F75

K4S51153PF-Y(P)F90

K4S51153PF-Y(P)F1L

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

111MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

54 FBGA Pb

(Pb Free)

LVCMOS

111MHz(CL=3)^*1,66MHz(CL=2)

- F : Low Power, Commercial Temperature(-25°C ~ 70°C)

Notes :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

2. Samsung are not designed or manufactured for use in a device or system that is used under circumstance in which human life is potentially at stake.

Please contact to the memory marketing team in samsung electronics when considering the use of a product contained herein for any specific

purpose, such as medical, aerospace, nuclear, military, vehicular or undersea repeater use.

Address configuration

Organization

Bank

Row

Column Address

32M x16

BA0,BA1

A0 - A12

A0 - A8

September 2004

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与K4S51153PF-YF1L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S51153PF-YF1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4S51153PF-YF75	SAMSUNG	获取价格	8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S51153PF-YF750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4S51153PF-YF90	SAMSUNG	获取价格	8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S51153PF-YF900	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4S51153PF-YPF	SAMSUNG	获取价格	8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S51153PF-YPF1L	SAMSUNG	获取价格	8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4S511632B-CL75	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die SDRAM Specification
K4S511632B-TC75	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die SDRAM Specification
K4S511632B-TC750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP-54

与K4S51153PF-YF1L相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S51153PF-YF1L

K4S51153PF-YF1L 技术参数

K4S51153PF-YF1L 数据手册

与K4S51153PF-YF1L相关器件

与K4S51153PF-YF1L相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S51153PF-YF1L

K4S51153PF-YF1L 技术参数

K4S51153PF-YF1L 数据手册

与K4S51153PF-YF1L相关器件

与K4S51153PF-YF1L相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？