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K4S511632C-KL1H

更新时间： 2024-11-12 09:30:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	60K
描述
Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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K4S511632C-KL1H 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.83
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.38 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4S511632C-KL1H 数据手册

K4S511632C

CMOS SDRAM

DDP 512Mbit SDRAM

8M x 16bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

LVTTL

Revision 0.1

Sept. 2001

This is to advise Samsung customers that in accordance with certain terms of an agreement, Samsung is prohibited from selling any DRAM

products configured in "Multi-Die Plastic" format for use as components in general and scientific computers, such as mainframes, servers,

work stations or desk top personal computers (hereinafter "Prohibited Computer Use"). Applications such as mobile, including cell phones,

telecom, including televisions and display monitors, or non-desktop computer systems, including laptops, notebook computers, are,

however, permissible. "Multi-Die Plastic" is defined as two or more Dram die encapsulated within a single plastic leaded package

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.1 Sept. 2001

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S511632C-KL1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S511632C-KL75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S511632C-L1H	SAMSUNG	获取价格	DDP 512Mbit SDRAM
K4S511632C-L1L	SAMSUNG	获取价格	DDP 512Mbit SDRAM
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K4S511632D-KC/L1H	SAMSUNG	获取价格	DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
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