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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP54,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.81 |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 1,2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IS42S16320B-7TLI | ISSI |
功能相似  |
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S511632B-UC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE |
|
| K4S511632C | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 512Mbit SDRAM |
|
| K4S511632C-KC | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 512Mbit SDRAM |
|
| K4S511632C-KC/L1H | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 512Mbit SDRAM |
|
| K4S511632C-KC/L1L | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 512Mbit SDRAM |
|
| K4S511632C-KC/L75 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 512Mbit SDRAM |
|
| K4S511632C-KC/L7C | SAMSUNG |
获取价格 |
DDP 512Mbit SDRAM |
|
| K4S511632C-KC1H | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S511632C-KC7C | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| K4S511632C-KL1H | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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