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K4S510832B-TC750

更新时间: 2024-11-21 19:23:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 149K
描述
Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP-54

K4S510832B-TC750 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP2,
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.71访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4S510832B-TC750 数据手册

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CMOS SDRAM  
SDRAM 512Mb B-die (x4, x8, x16)  
512Mb B-die SDRAM Specification  
Revision 1.1  
February 2004  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 1.1 February 2004  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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512Mb B-die SDRAM Specification
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SDRAM Product Guide
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