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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE DRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8 | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4S510832M | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TC/TL1H | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TC/TL1L | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TC/TL75 | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TC1H | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TC1L | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TC75 | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TL1H | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TL1L | SAMSUNG |
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16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S510832M-TL75 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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